Quy trình này được gọi là laser doping,ákỷlụcbằngcáchpháttriểnpinmặttrờihaimặlens vs lille tức là sử dụng tia laser để tăng cường độ dẫn điện cục bộ. Đây được xem là một công nghệ đầy hứa hẹn nhờ nhiều ưu điểm, bao gồm khả năng tồn tại của phương pháp ở nhiệt độ phòng và dễ dàng kiểm soát độ sâu phát xạ và nồng độ bề mặt. Hơn nữa, đó là một quy trình chi phí thấp và tương thích với ngành để tăng hiệu quả sử dụng pin mặt trời.

Nhờ laser doping, các nhà nghiên cứu đã có thể phát triển pin mặt trời silicon hai mặt với hiệu suất chuyển đổi phía trước là 24,3% và hiệu suất chuyển đổi phía sau là 23,4%, mang lại hệ số hai mặt là 96,3%. Các chuyên gia cho rằng, hiệu suất tương đương với sản lượng điện hiệu quả 29%, vượt xa hiệu suất của pin mặt trời silicon. Kết quả đã được xác minh độc lập bởi Tổ chức Nghiên cứu Công nghiệp và Khoa học Khối thịnh vượng chung (CSIRO).